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シリコン単結晶生成装置、シリコン単結晶生成方法

出願日 2014年03月20日
出願番号/公開番号 PCT/JP2014/057833 / WO2014/156986
発明者名 柿本浩一 他
出願人(権利者) 九州大学 物質・材料研究機構
特許番号
技術分野 電気電子・デバイス
環境・エネルギー
明細書へのリンク シリコン単結晶生成装置、シリコン単結晶生成方法外部リンク
発明概要へのリンク

目的

鋳造法を利用して、小さい種結晶であっても全ての成長方向に対して確実に種結晶の情報を伝達することができ、多結晶の含有を最小限に抑えた高品質なシリコン単結晶を生成することを目的とする。

効果

坩堝底からの入熱制御により成長させるシード鋳造法により、小さい種結晶から多結晶を含まない高品質なシリコン単結晶を生成することができる画期的な方法である。また、鋳造法を利用して坩堝底面からの熱制御のみの簡易的な作業工程で、高品質且つ大型のシリコン結晶を生成することができるため、安価な設備で大量生産を行うことが可能になる。

概要

底面部の一部の領域に単一のシリコン単結晶の種結晶が保持されると共に、固体及び/又は液体のシリコンが保持される坩堝と、坩堝内に配置されたシリコン単結晶の種結晶の領域を坩堝の底面部から吸熱する吸熱部と、吸熱部により冷却される領域の周辺領域を坩堝の底面部より下方の熱源により加熱する加熱部とを備え、吸熱部による熱流束のベクトルAと加熱部による熱流束のベクトルBとが、A×B<0の関係を保って制御されるシリコン単結晶生成装置、及び生成方法である。

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