鋳造法を利用して、小さい種結晶であっても全ての成長方向に対して確実に種結晶の情報を伝達することができ、多結晶の含有を最小限に抑えた高品質なシリコン単結晶を生成することを目的とする。

坩堝底からの入熱制御により成長させるシード鋳造法により、小さい種結晶から多結晶を含まない高品質なシリコン単結晶を生成することができる画期的な方法である。また、鋳造法を利用して坩堝底面からの熱制御のみの簡易的な作業工程で、高品質且つ大型のシリコン結晶を生成することができるため、安価な設備で大量生産を行うことが可能になる。