プレーナ構造を利用して一又は複数の端子から電荷を一切含んでいない純スピン流を生成し、非磁性体中に磁性体を埋め込むことで、複数方向から純スピン流を磁性体に注入することができ、スピン侵入長に制限されずに磁性体の磁化反転を可能にする磁化反転技術等を提供することを目的とする。

積層構造ではなく、面内構造の素子を用いて、スピンを多端子から三次元的に注入することで、スピン侵入長に制限されないナノ磁石の磁化反転を可能にする。これにより、スピンデバイスの更なる極微細化を可能にする。磁性 RAM などの次世代スピントロニクス素子の磁化状態制御や、磁気記録ヘッドなど情報記憶装置への適用が期待できる。